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晶体管的rbe是什么?搞不懂啊,求大神指点。 模电的微变等效电路中rbe到底怎么求??公式前面那...

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晶体管的rbe是什么?搞不懂啊,求大神指点。 模电的微变等效电路中rbe到底怎么求??公式前面那... 求rberbe是晶体管的交流输入电阻,输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻。 rbe是晶体管的交流输入电阻(动态)由三部份组成: 1基极体积电阻rbb一般为数十至二三百欧; 2发射极体积电阻很小一般忽略; 3,基极、发射极 结电阻跟β与电流IE有关

共射集放大电路的rbe怎么求?rbe 由基区电阻rbb',发射结电阻rb'e',发射区电阻re组成,rbb'一般几十到几百欧姆,可以查手册,re一般几欧姆可以忽略不计所以rbe=Ube/Ib=(Ubb'+Ub'e')/Ib=rbb'+Ie/Ib*rb'e', 其中rb'e'=UT/Ie 所以 rbe=rbb'+(1+β)UT/IE 常温下UT一般为26mV

放大电路中rbe的计算问题看射随部分 我在书上看到的公式是 rbe=rbb'+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]公式rbe=rbb'+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻,你们老师给的公式 rbe=rbb'+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β)(R7∥R8) 计算的是射随器输入电阻。 射随器输入电阻不该用rbe表示,而是用ri表示,所以射随器输入电阻公式应

模电的微变等效电路中rbe到底怎么求??公式前面那...模电的微变等效电路中rbe(be是下标)到底怎么求??公式前面那个常数有rbe=rbb’+(1+β)(re+re') 其中的re'在做题时都是直接忽略的不用管,所以一般做题就是这个公式 rbe=rbb’+(1+β)re re是发射结电阻,跟温度有关:re=VT/IEQ(T是下标,EQ是下标),因为常温下VT=26(mV)所以常温下rbe的计算公式是 rbe=rbb'+(1+β)2

关于三极管放大电路中rbe电阻求三极管对交流小信号的电压增益:工作点处Ie与Vbe的关系是二极管电流与rbb'是基区体电阻,rbe是算上rbb'加上发射结电阻折算到基区的电阻的,注意rb'e和rbe的不同,三极管放大电路在低频和高频的分析中使用的是不同的模型,高频中使用的是混π参数,受控源受vb'e的控制,讲体电阻和结电阻分开有利于分析。

rbe au公式是什么rbe=300+(1+β)26mV/Ieq=300+26mV/Ibq(Ibq、Ieq为基极、发射极的静态电流) 此题的Av=-βRL`/[rbe+(1+β)R6](RL`=R3//RL)

如图。。Au Rbe 怎么求。rbe=300+(1+β)26mV/Ieq=300+26mV/Ibq Av=-β(Rc//RL)/[rbe+(1+β)01K]=-β(1K//5K)/[rbe+(1+β)01K]

在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe...Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧。

晶体管的rbe是什么?搞不懂啊,求大神指点。rbe是晶体管的交流输入电阻,输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻。 rbe是晶体管的交流输入电阻(动态)由三部份组成: 1基极体积电阻rbb一般为数十至二三百欧; 2发射极体积电阻很小一般忽略; 3,基极、发射极 结电阻跟β与电流IE有关

为什么三极管放大电路设计不用注重Rbb?我模电书说...这个问题在模电书上不是写得很清楚嘛, rbb是基区体电阻,你得到的那个用rbb计算rbe的公式,其实已经是近似表达式了,只有在信号比较小,频率低,且线性度比较好的区域,分析结果误差才比较校 另外,半导体制造的时候,本身就带有极大的分散性,

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